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[서울=뉴시스]이현주 기자 = 내년 6세대 고대역폭메모리 'HBM4' 시대를 앞두고 글로벌 반도체 기업들의 경쟁이 치열해지고 있다.
현재 HBM 시장은 SK하이닉스가 주도하고 있지만 삼성전자와 마이크론의 추격이 본격화되면 '3강 체제'가 열릴 수 있다.
특히 기존 '메모리 강자'인 삼성전자의 경우 HBM4 이후엔 SK하이닉스에게서 선두 자리를 탈환할 것이라는 의지가 읽힌다.
3일 업계에 따르면 글로벌 시장조사기관 카운터포인트리서치 조사 결과 올해 2분기 HBM 점유율은 SK하이닉스가 62%로 든든학자금 이자 1위, 마이크론이 21%로 2위, 삼성전자가 17%로 3위를 각각 기록했다.
단 삼성전자의 경우 최근 엔비디아 HBM3E 제품 인증과 내년 HBM4 수출을 기반으로 점유율을 확대해 내년에는 점유율이 30%를 웃돌 전망이다.
삼성전자는 엔비디아 HBM3E 제품 인증과 함께 납품 작업도 진행 중으로 알려졌다. 이는 지난해 조기환급 2월 HBM3E 12단 개발을 마친 후 1년 6개월만이다.
이렇게 되면 SK하이닉스와 마이크론에 이어 세 번째로 엔비디아에 HBM3E 12단 제품을 공급하는 것이다. 납품 물량 자체는 크지 않지만 그동안 제기돼 온 발열 등 기술 논란을 씻는 계기로 상징적 의미가 크다.
업계에 따르면 엔비디아는 HBM4를 만드는 글로벌 현대자동차저금리 반도체 업체들에 국제반도체표준화기구(JEDEC)에서 정한 8Gbps보다 더 높은 10Gbps 동작 속도를 요구했다.
앞서 SK하이닉스는 HBM4 12단 개발을 끝내고, 양산 채비를 마쳤다고 선언했으며 10Gbps 속도도 충족했다고 공식화했다.
[서울=뉴시 직장인밴드 스]SK하이닉스가 세계 최초로 최신 고대역폭메모리인 HBM4의 개발을 마무리하고, 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. (사진=SK하이닉스 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지
SK하이닉스는 HBM4에 기존 5세대(HBM3E)에서 적용한 공정을 그대로 가져간다.
지출D램 칩은 10나노급 5세대(1b) D램 기술을 기반으로 하고, 패키징은 기존에 쓰던 주력 기술인 어드밴스드 '매스리플로우-몰디드 언더필(MR-MUF)' 공정을 적용해 양산 과정의 리스크를 최소화했다. HBM의 가장 아랫부분인 베이스다이 제작은 대만 TSMC와 협력하고 있다.
마이크론은 베이스다이 설계를 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반으로 전환한 SK하이닉스나 삼성전자와 달리 메모리 공정 기반으로 한다. 이는 성능 업그레이드에 어려움이 클 수 있다는 업계의 평가를 받았지만 마이크론은 최근 이 같은 논란을 일축한 바 있다.
산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 지난달 실적 발표회를 통해 자사 HBM4에 대해 "대역폭 2.8TB/s, 11Gbps 이상의 속도를 갖춘 최고 성능의 제품을 선보일 것"이라며 "SK하이닉스 성능을 뛰어넘었다"고 강조했다.
HBM4 시장에서 대반격을 노리는 삼성전자는 공격적인 개발 계획을 내세우고 있다.
D램 칩은 10나노급 5세대(1c) D램 기술을 기반으로 하는데, HBM에 1c D램 기술을 도입한 것은 삼성전자가 처음이다. 베이스 다이도 삼성전자가 직접 삼성 파운드리에 의뢰해 만든다.
삼성전자는 2분기 실적 발표 당시 "2026년 HBM4 수요 본격화에 맞춰 적기에 공급을 늘려갈 예정이며 이를 위해 1c 나노 캐파 확대에 필요한 투자를 지속적으로 집행하고 있다"고 밝혔다.
HBM4 경쟁의 승부는 결국 엔비디아를 위시한 고객사들의 퀄테스트(품질 검증) 통과 및 본격 납품을 어느 업체가 먼저 하느냐가 관건이다.
현재 엔비디아는 SK하이닉스, 삼성전자와 마이크론 등이 제출한 HBM4 샘플의 품질 검증을 진행 중이며, 아직 최종 결과는 베일에 가려져 있다.
☞공감언론 뉴시스 lovelypsyche@newsis.com
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