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어용빈원 (25-09-17 11:20)
 조회 : 2
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어용빈원 |
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(서울=뉴스1) 원태성 기자 = 차세대 인공지능(AI) 반도체 메모리인 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 시대가 막이 오르면서 메모리반도체 업체간 경쟁도 더 뜨거워지고 있다.
특히 삼성전자와 마이크론의 가세로 HBM4부터는 SK하이닉스가 이전 세대까지 가졌던 독점적 지위를 유지하기 힘들 것으로 예상된다.
SK하이닉스(000660)가 가장 먼저 HBM4 양산 준비를 끝마치면서 주도권을 잡았지만 삼성전자(005930)와 마이크론도 채비를 서두르고 있다. 일각에서는 삼성전자와 마이크론이 HBM 분야에서 후발주자인 만큼 엔비디아 공급망에 자소서 특이사항 조기 진입하기 위해 낮은 단가를 제시해 가격 경쟁이 나타날 것이란 전망이 나온다.
'점유율 62%' SK하닉 독점 지위 깨지나…HBM 가격 8% 하락 예상
17일 업계에 따르면 내년도 HBM 평균판매가격(ASP)은 올해 대비 6~10%가량 떨어질 것으로 예상된다. 삼성전자와 마이크론이 엔비디아 공급망에 조기 진입하기 위해 인도금리인상 SK하이닉스보다 낮은 단가를 제시할 가능성이 크기 때문이다.
류형근 대신증권 연구원은 2026년 HBM ASP 전망을 기존 7% 성장에서 6% 하락으로 하향 조정했다. 업체간 경쟁으로 인한 HBM4 가격 프리미엄 축소 가능성을 반영한 수치다.
미국 투자은행(IB) 골드만삭스의 경우 지난 7월 분석보고서에서 "공급사 경쟁 급여압류절차 심화로 내년 HBM 가격이 10% 떨어지고, 가격 결정권이 제조사에서 엔비디아 같은 고객사로 이동할 것"이라고 예측했다.
삼성전자와 마이크론이 가격 경쟁에 나선다면 SK하이닉스가 이전까지 유지하던 독점적 지위는 깨질 가능성이 크다.
실제 엔비디아는 HBM4를 차세대 AI 가속기 루빈(Rubin)에 탑재할 계획인데, HB 직장인신용회복자대출 M4부터는 '멀티 벤더' 체제를 확립할 계획으로 알려졌다. HBM3E까진 SK하이닉스로부터 사실상 독점 공급을 받았지만, HBM4부터는 복수의 공급업체를 쓰겠다는 의미다.
후발주자인 삼성전자와 마이크론은 수익률이 떨어져도 점유율을 높이는 것이 우선이라는 입장이다.
한 업계 관계자는 "이전 세대에서 시장에 진입하지도 못한 재형저축 금리 실패를 반복해서는 안 된다"며 "우리는 제로에서 시작하기 때문에 현재 수익률에서 일정 수준 떨어진다고 해도 이득"이라고 전했다.
2일 경기도 고양시 일산서구 킨텍스에서 열린 '나노코리아 2025'에서 관람객들이 삼성 부스를 살펴보고 있다. 올해로 23회를 맞는 나노코리아는 미국 테크커넥트월드, 일본 나노테크제팬과 함께 세계 3대 나노기술 행사 중 하나다. 2025.7.2/뉴스1 ⓒ News1 황기선 기자
'최초 양산체제 구축' SK하이닉스, 선두 지위 유지 목표
HBM4 시대 개막을 앞두고 경쟁이 치열해지고 있지만 SK하이닉스는 여전히 선두를 지키고 있다.
SK하이닉스는 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 출하한 데 이어 6개월 만에 양산 준비까지 마치며 마지막 관문인 고객사 퀄테스트에서도 유리한 고지를 점하게 됐다.
SK하이닉스는 HBM4에 이전 세대보다 두 배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있다.
또한 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해 HBM4의 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 동작 속도인 8Gbps를 뛰어넘었다. 시장에서 안정성이 검증된 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다.
조주환 SK하이닉스 부사장(HBM 개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했다.
'성능 자신' 삼성전자, 엔비디아 공급망 조기 진입 목표
추격자 위치에 놓인 삼성전자는 HBM4의 엔비디아 공급망 조기 진입을 목표로 하고 있다. 반전을 노리는 삼성전자가 내세우는 것은 성능이다.
삼성전자의 HBM4는 두뇌 역할을 하는 '로직 다이'를 자사 파운드리 4㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 공정을 활용하고, D램(코어 다이)은 1c D램을 사용한다. 이는 12㎚ 공정에서 로직 다이를 만들고, 1b D램을 활용하는 SK하이닉스보다 우수한 기술력을 내세우기 위함이다.
미세 공정을 사용할수록 메모리 성능이 배가되는 만큼, 연내 양산 계획이 실현되면 반전의 기회를 잡을 수 있다.
다만 수율 확보라는 과제를 해결해야 한다. 삼성전자의 1c D램의 공정 수율(정상품 비율)은 50%까지 개선된 것으로 알려졌지만 수익성을 위해서는 이를 70%까지 끌어올려야 한다.
한 업계 관계자는 "삼성전자가 고객사에 보낸 HBM4 평가가 나쁘지 않은 것으로 보인다"며 "섣불리 예상할 순 없지만 엔비디아 공급망 조기진입도 불가능하진 않을 것"이라고 전망했다.
khan@news1.kr
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