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작성일 : 25-07-23 03:17
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삼성전자가 3년 내 상용화를 목표로 개발 중인 9㎚(나노미터·10억분의 1m)급 D램부터 D램 구조를 평면에서 수직으로 바꾼 ‘4F²' D램 구조를 도입할 계획인 가운데, 기존 평면 방식인 6F² 구조의 9㎚급 D램 개발도 동시에 진행할 방침인 것으로 파악됐다. D램을 수직 구조로 변경할 경우 설계 난도도 올라가고 제조 과정에 대폭 변화가 생겨 이에 따른 생산 단가가 치솟는 만큼, 원가를 절감하고, 4F² 구조에 대한 개발 시간을 확보하기 위한 방안인 것으로 전해지고 있다. 삼성전자는 올 하반기 양산을 앞둔 6F² 구조의 10㎚(나노미터, 10억분의 1m)급 6세대(1c, 11~12㎚ 수준) D램의 다다음 세이세영
대인 9㎚(0a) D램부터 4F² D램 구조를 적용할 방침이다.
D램은 디지털 정보 하나가 들어갈 수 있는 기본 단위인 셀 단위로 데이터를 저장한다. 셀 하나가 차지하는 면적을 F²라고 표현한다. 지금까지 데이터를 읽고 쓰는데 사용되는 수직 선로인 비트라인이 3칸, 수평 선로인 워드라인이 2칸인 수평 구조의 6F² 셀이 일반적이다. 하지만채널K방송
10㎚ 미만 D램 공정부터 평면 구조의 미세화 한계에 직면하며 D램의 크기를 줄이면서도, 집적도를 높일 수 있도록 이를 각각 2칸으로 줄인 뒤 D램의 스위치 역할을 맡는 트랜지스터를 수직 구조로 배치하는 4F² D램을 개발 중이다.
22일 업계에 따르면, 삼성전자는 9㎚급(0a) D램 개발을 위해 4F² 구조뿐만 아니라 기존 6F² 구조알라딘게임다운
의 D램 개발도 준비 중인 것으로 전해졌다. 최정동 테크인사이츠 수석부사장은 “수직 구조의 4F² D램을 양산하는 과정에서 설계와 공정, 제조 장비에 변화가 크다”며 “기존 방식으로 한 단계 더 개발할 경우 설계와 장비의 변경없이 회로 선폭만 축소할 수 있고 4F² D램 개발에 대한 시간도 벌어질 수 있기 때문에 가능성을 평가해 보는 것”이라고 설명했다.
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그래픽=손민균
D램은 세대를 거듭할수록 미세 공정이 적용돼 D램의 회로 선폭이 좁아진다. 이를 바탕으로 칩의 크기를 줄이고 집적도를 높여 성능과 전력 효율을 향상된다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등은 1릴게임추천사이트
0㎚급 4세대(1a)·10㎚급 5세대(1b) D램을 주력 제품으로 경쟁하고 있고 올 하반기 10㎚급 6세대(1c) D램을 본격 양산할 계획이다.
다만, 10㎚ 미만 D램 공정부터는 제조 난도뿐만 아니라 미세 공정에 따른 제조 비용이 치솟으면서 D램 구조의 변화가 불가피하다는 전망이 우세하다. 이 같은 이유로 메모리 반도체 기업은 평면에서 수직으로 D램 구조를 바꿔, 성능과 전력 효율 등을 높이는 전략을 택했다. 삼성전자는 10㎚급 7세대 (1d) D램 제품 다음 세대에, SK하이닉스는 그보다 한 세대 뒤에 4F² 구조 D램을 시장에 내놓을 계획인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 SK하이닉스와 비교할 때 한 세대 앞서 이를 개발하는 만큼 모든 가능성을 열어두고 가능성을 평가하고 있는 것으로 알려졌다.
반도체 업계 관계자는 “0a 세대를 9.8㎚ 수준의 공정을 적용한 기존 6F² 구조로 개발하고, 다음 세대부터 9.0㎚ 공정을 4F² 구조로 개발하는 방안도 있다”며 “개발과 평가를 해보면서 결정될 사안”이라고 했다.
삼성전자는 개발을 완료하고 이르면 오는 2027년 해당 제품의 샘플을 고객사에 공급해 3년 내 이를 양산할 방침인 것으로 파악됐다. 반도체 업계 관계자는 “삼성전자는 10나노급 4세대(1a) D램 제품부터 경쟁사인 SK하이닉스에 우위를 점하지 못하고 있다는 위기 의식이 내부적으로 팽배한 상황”이라며 “차세대 D램에서는 그동안 D램 시장에서 경쟁사와 격차를 벌릴 수 있도록 다각도로 개발 방향을 수립하고 있다”고 설명했다.
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